El carburo de silicio (SiC) es un material central de los semiconductores compuestos de tercera generación. Con propiedades físicas como un campo eléctrico de alta ruptura, alta conductividad térmica y banda prohibida amplia, supera el techo de rendimiento de los dispositivos de energía tradicionales basados en silicio y es un componente central para escenarios de alto voltaje y alta potencia, como vehículos de nueva energía, fuentes de alimentación informáticas de inteligencia artificial, almacenamiento de energía fotovoltaica y tránsito ferroviario. En 2025, la industria experimentó un exceso de capacidad y una profunda compensación debido a guerras de precios. A partir del cuarto trimestre de 2025, la industria marca el comienzo de un punto de inflexión estructural. Los sustratos y dispositivos de alta calidad para el sector automotriz y de potencia de IA entran en un ciclo de escasez, mientras que el suministro de productos de uso general de gama baja sigue siendo escaso, lo que muestra una diferenciación estructural obvia en la industria. El mercado global mantiene una alta tasa de crecimiento compuesto a largo plazo, con los vehículos de nueva energía como base fundamental y la infraestructura informática de IA convirtiéndose en la segunda curva de crecimiento. La cadena industrial nacional ha logrado grandes avances en el segmento de sustratos, liderando a nivel mundial en participación de mercado de sustratos de 8 pulgadas, mientras que los segmentos de epitaxia, dispositivos y módulos continúan avanzando en la sustitución nacional. Sin embargo, las barreras a la certificación de grado automotriz, el rendimiento, el costo y las patentes siguen siendo deficiencias fundamentales.
I. Descripción general de la industria: principios básicos del carburo de silicio (SiC) y estructura de la cadena industrial
1.1 Propiedades del material y valor de aplicación del carburo de silicio
El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto de silicio y carbono, perteneciente a los semiconductores de banda ancha de tercera generación. En comparación con los materiales tradicionales de silicio (Si), tiene tres ventajas principales: la intensidad del campo eléctrico de ruptura es aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio, lo que soporta niveles de voltaje más altos; la conductividad térmica es aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio, lo que mejora significativamente la capacidad de disipación de calor; y las pérdidas de conmutación son menores con una mayor resistencia a altas temperaturas. En escenarios de conversión de energía de alto voltaje y alta potencia, los dispositivos de energía de SiC pueden reducir las pérdidas del sistema, reducir la disipación de calor y el volumen y mejorar la eficiencia de la conversión de energía, lo que los convierte en el material subyacente para la transición energética y la infraestructura informática.
Los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) tradicionales basados en silicio tienen deficiencias importantes en pérdidas y disipación de calor en plataformas de alto voltaje de 800 V y superiores, mientras que los MOSFET de SiC (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio) se adaptan naturalmente a plataformas de alto voltaje de 800 V, convirtiéndose así en la opción principal para plataformas de alto voltaje de vehículos de nueva energía. Además de los dispositivos de energía, el SiC también se puede utilizar en direcciones emergentes, como dispositivos de RF y sustratos avanzados de disipación de calor para envases, lo que abre un mayor espacio en el mercado.
1.2 Estructura de la cadena industrial
La cadena industrial del SiC se divide en tres segmentos principales: sustratos upstream y epitaxia; fabricación de chips, dispositivos y módulos de potencia intermedios; y aplicaciones posteriores. Los sustratos son el segmento con mayor valor y barreras técnicas más sólidas en toda la cadena industrial, representan aproximadamente el 47 % del costo total de los dispositivos y son el foco central de la competencia de la industria.
1. Upstream: Sustratos + Epitaxia
Sustratos de SiC: divididos en tipo conductor (dispositivos de potencia, vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía, fuentes de alimentación de IA) y tipo semiaislante (dispositivos de RF). El tamaño principal es de 6 pulgadas, la industria está avanzando hacia las 8 pulgadas y las 12 pulgadas han entrado en la etapa de verificación de muestra. Los tamaños más grandes son el camino principal hacia la reducción de costos. El área de los sustratos de 8 pulgadas es un 78 % más grande que la de los sustratos de 6 pulgadas, el número de troqueles por oblea aumenta aproximadamente de 1,8 a 2 veces, la pérdida de bordes se reduce y el costo por oblea disminuye aproximadamente un 35 %. Las principales dificultades en la preparación del sustrato radican en el rendimiento del crecimiento de los cristales, el control de defectos y el escalamiento del tamaño. Los hornos de crecimiento de cristales y los equipos de corte, esmerilado y pulido son gastos de capital básicos.
Obleas epitaxiales: Las capas epitaxiales se cultivan sobre sustratos mediante equipos MOCVD (Deposición química de vapor metal-orgánico). El rendimiento del dispositivo está determinado por la calidad de la capa epitaxial, y este es un vínculo clave que conecta los sustratos y la fabricación de chips.
2. Midstream: fabricación de chips, dispositivos, módulos de potencia
En las obleas epitaxiales de SiC, se completan procesos semiconductores como litografía, grabado e implantación de iones para preparar chips como MOSFET y SBD (diodos de barrera Schottky); Luego, estos se empaquetan en módulos de potencia y se suministran directamente a los fabricantes finales posteriores. Las empresas extranjeras de IDM (fabricante integrado de dispositivos) (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) cubren principalmente la cadena completa, desde el sustrato hasta la epitaxia, pasando por los dispositivos y los módulos; las empresas nacionales adoptan con mayor frecuencia un modelo de división del trabajo, en el que las empresas de sustratos, las plantas de epitaxia y las empresas de diseño y embalaje de dispositivos se desarrollan de forma independiente, mientras que algunas empresas se extienden hacia arriba y hacia arriba.
3. Aplicaciones posteriores
Los vehículos de nuevas energías son la vía principal (inversor principal, OBC a bordo, DC-DC, pilas de carga a bordo); seguidos de inversores fotovoltaicos, convertidores de almacenamiento de energía, fuentes de alimentación industriales, fuentes de alimentación de alto voltaje para servidores de IA, tránsito ferroviario, redes de alto voltaje e infraestructura de carga rápida; La dirección de la frontera es el envasado avanzado de sustratos de disipación de calor para chips informáticos de IA.
II. Estado de la industria del SiC a nivel mundial y nacional
2.1 Tamaño del mercado y descripción general del crecimiento
El mercado mundial de dispositivos de potencia de SiC continúa creciendo rápidamente. En 2025, el tamaño del mercado mundial de dispositivos de potencia de SiC será de aproximadamente 40.691 millones de RMB. Las instituciones predicen una tasa de crecimiento compuesto del 20,5% entre 2026 y 2032, y que el tamaño del mercado alcanzará los 147.968 millones de RMB para 2032. Open Source Securities predice que el tamaño del mercado mundial de SiC alcanzará los 12.400 millones de dólares para 2030, y la infraestructura de IA contribuirá con casi la mitad de la nueva demanda, rompiendo la estructura de crecimiento anterior que dependía únicamente de vehículos de nueva energía.
Desde la perspectiva de la estructura de la demanda, los vehículos de nueva energía representan actualmente aproximadamente el 61% de los ingresos por dispositivos de SiC y son el mercado de aplicaciones más grande. El aumento de la penetración de los modelos de plataforma de alto voltaje de 800 V aumenta directamente el contenido de SiC por vehículo; Los suministros de energía para servidores de IA y la carga de almacenamiento fotovoltaico son la segunda curva de crecimiento. En el pasado, el mercado generalmente definía el SiC como un material para las vías de vehículos de nueva energía. La lógica actual de la industria se ha actualizado al modelo de tres conductores de "vehículos de nueva energía + potencia informática de IA + nuevo almacenamiento de energía".
2.2 Patrón de oferta y demanda: compensación profunda en 2025, escasez estructural en 2026
De 2021 a 2024, grandes cantidades de capital nacional se invirtieron en la vía de SiC y se lanzaron de forma concentrada una gran cantidad de proyectos de sustratos de 6 pulgadas. La capacidad de la industria se expandió rápidamente. Combinado con una demanda periódica que no cumplió con las expectativas en la industria de vehículos de nueva energía en 2025, la industria entró en feroces guerras de precios. Los precios de los sustratos de gama baja y los dispositivos de uso general cayeron drásticamente, muchos fabricantes pequeños y medianos sufrieron pérdidas y la industria entró en un ciclo de compensación de capacidad. La utilización de la capacidad de gama baja disminuyó significativamente y algunos fabricantes abandonaron el mercado.
A partir del cuarto trimestre de 2025, el patrón de oferta y demanda se revirtió, pero no se trató de una escasez generalizada de oferta, sino más bien de una escasez estructural: (1) El suministro de sustratos conductores, epitaxia y módulos MOSFET de alta calidad para uso automotriz y de grado de potencia de IA es escaso. La utilización de la capacidad de los principales fabricantes de sustratos se ha recuperado por encima del 90%, los precios de los sustratos de 6 pulgadas tocaron fondo y se recuperaron, y los precios de los sustratos de 8 pulgadas dejaron de caer y subieron; Los fabricantes extranjeros de IDM, Infineon y STMicroelectronics, así como empresas nacionales como Yangjie Technology, han aumentado sucesivamente las cotizaciones de los dispositivos. Los plazos de entrega de los dispositivos de SiC para fuentes de alimentación de servidores de IA se han ampliado a aproximadamente 30 semanas, y los precios han aumentado más de un 15 % en comparación con finales de 2025. (2) El suministro de sustratos de gama baja con bajos indicadores de defectos que no pueden pasar la certificación de grado automotriz y de dispositivos industriales con especificaciones de uso general sigue siendo excesivo, y los precios continúan bajo presión.
El resultado principal de esta ronda de reorganización de la industria: la competencia industrial ha pasado de una simple competencia en escala de capacidad a una competencia integral de capacidades en rendimiento, control de defectos, certificación de grado automotriz, entrega estable y control de costos. La concentración industrial sigue aumentando y las empresas líderes se benefician.
2.3 Panorama competitivo global
Los gigantes extranjeros tradicionales tienen la ventaja de ser los primeros en actuar y adoptan principalmente el modelo IDM: Wolfspeed (Estados Unidos, anteriormente Cree), ROHM (Japón), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) y onsemi. Los fabricantes extranjeros tienen una gran acumulación de patentes de sustratos, certificaciones de clientes de grado automotriz, procesos de dispositivos y empaquetado de módulos, y han ocupado durante mucho tiempo la participación principal del mercado mundial de dispositivos de energía.
Las empresas nacionales han logrado avances importantes en el segmento de sustratos. En 2025, las empresas nacionales alcanzaron el liderazgo mundial en el campo de los sustratos conductores. La participación de mercado global de Tianyue Advanced de sustratos de SiC de 8 pulgadas superó el 50%, y su participación global de sustratos conductores de 6 pulgadas ocupó el primer lugar. Tianyue Advanced y Tianke Heda juntas tienen una cuota de mercado de sustratos conductores que supera la de Wolfspeed. El suministro de sustratos de SiC de China representa aproximadamente el 50 % del total mundial y ha entrado en el primer nivel mundial. Los segmentos de epitaxia, dispositivos y módulos domésticos todavía se encuentran en la etapa de recuperación. Los fabricantes de dispositivos nacionales todavía están por detrás de los líderes extranjeros en certificación de grado automotriz, confiabilidad y capacidad de entrega estable de lotes. Los cinco principales fabricantes del mercado nacional de dispositivos eléctricos ocupan en conjunto el 70,4% de la cuota de mercado; los tres principales son empresas extranjeras, mientras que los fabricantes nacionales todavía tienen una cuota de mercado relativamente baja.
Empresas representativas en cada segmento de la cadena industrial nacional: (1) Sustratos: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitaxia: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Dispositivos/Módulos: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Equipos upstream: Jingsheng Mechanical & Electrical (hornos de crecimiento de cristales), Jingsheng Equipment, AMEC (equipo de epitaxia MOCVD).
2.4 Entorno de política interna
Como vía clave de los semiconductores de tercera generación y de las nuevas fuerzas productivas de calidad, el carburo de silicio pertenece a la dirección estratégica de la autonomía y controlabilidad de los semiconductores nacionales. El "14º Plan Quinquenal" y el "15º Plan Quinquenal" nacionales continúan apoyando la industrialización de materiales y dispositivos semiconductores de tercera generación, y muchas localidades han establecido fondos industriales especiales para proporcionar subsidios para la construcción de líneas de producción, inversiones en I+D y proyectos de industrialización. Al mismo tiempo, las políticas industriales nacionales para vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía fotovoltaica e infraestructura informática impulsan indirectamente la demanda de SiC. Los dividendos de las políticas aceleran la verificación e introducción de cadenas de suministro nacionales, pero los subsidios industriales están pasando gradualmente de subsidios a la capacidad a indicadores de alta calidad como I+D, mejora del rendimiento y certificación de grado automotriz.
III. Análisis de la demanda downstream: tres principales vías impulsoras y lógica de crecimiento reestructurada
3.1 Vehículos de nueva energía: base fundamental de la industria, las plataformas de 800 V aumentan el valor por vehículo
Los vehículos de nueva energía siguen siendo la mayor fuente de demanda de SiC. Las plataformas tradicionales de 400 V están dominadas por los IGBT basados en silicio; Las plataformas de alto voltaje de 800 V tienen ventajas como carga rápida, reducción de peso y alcance mejorado, y los MOSFET de SiC se han convertido en la solución principal. Los dispositivos de SiC se utilizan en componentes como el inversor principal, el OBC integrado, el DC-DC y el cargador integrado, y el valor de SiC por vehículo es significativamente mayor que el de las soluciones basadas en silicio de 400 V.
Los principales fabricantes de automóviles a nivel mundial, como Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen y Mercedes-Benz, continúan introduciendo soluciones de SiC en modelos de alta gama. A medida que los modelos de plataforma de 800 V se hundan en los modelos de gama media, la penetración de SiC seguirá aumentando. A corto plazo, la industria de vehículos de nueva energía se enfrenta a una presión de fluctuación de ventas, pero la tendencia a la electrificación a medio y largo plazo es segura. La creciente penetración de plataformas de 800 V es una línea principal que impulsa continuamente la demanda de dispositivos de SiC.
3.2 Suministros de energía para centros de datos de IA: segunda curva de crecimiento, remodelación del techo de la industria
Los clústeres informáticos de modelos grandes de IA requieren suministros de energía de servidor masivos, y la actualización de las arquitecturas de suministro de energía de alto voltaje de los servidores de IA crea una demanda sustancial de SiC. Las fuentes de alimentación de servidores tradicionales están dominadas por dispositivos basados en silicio. Las fuentes de alimentación de IA de alta potencia y alta densidad imponen mayores requisitos en cuanto a pérdidas, disipación de calor y densidad de potencia. Los dispositivos de SiC pueden reducir significativamente las pérdidas del suministro de energía, reducir el volumen del suministro de energía y disminuir la presión de disipación de calor. Open Source Securities predice que para 2030, la infraestructura de IA contribuirá con casi la mitad de la demanda del mercado de SiC, convirtiéndose en la fuente incremental más importante de la industria.
Dirección de frontera: SiC como sustrato de alta conductividad térmica para empaques avanzados CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), utilizado para la disipación de calor de HBM (memoria de alto ancho de banda) que admiten chips informáticos. Si se logra la industrialización, el SiC pasará de ser un material para dispositivos de energía a un material funcional para empaques avanzados, lo que aumentará considerablemente el valor por chip y abrirá un espacio de mercado completamente nuevo. Sin embargo, esta dirección aún se encuentra en la etapa de verificación de muestras del cliente y la industrialización conlleva incertidumbre.
3.3 Almacenamiento de energía fotovoltaica, industria y tránsito ferroviario: incremento estable
Las instalaciones fotovoltaicas y de almacenamiento de energía a nivel mundial siguen creciendo. Los inversores centralizados, los inversores de cadena y los PCS de almacenamiento de energía están pasando gradualmente de soluciones basadas en silicio a soluciones de SiC, mejorando la densidad de potencia del inversor y la eficiencia de conversión. Los motores industriales, las fuentes de alimentación de alto voltaje, el tránsito ferroviario y la transmisión por red de alto voltaje son demandas estables a mediano y largo plazo caracterizadas por largos ciclos de certificación, pedidos estables y largos ciclos de vida, con requisitos extremadamente altos para la confiabilidad del dispositivo.
IV. Ruta de iteración tecnológica y pronóstico de desarrollo a mediano y largo plazo
4.1 Corto plazo (2026-2028): implementación a gran escala de 8 pulgadas, mejora del rendimiento + reducción de costos, certificación acelerada de grado automotriz
En los próximos 2 a 3 años, la línea principal de la industria será la optimización de la capacidad de 6 pulgadas y el aumento a gran escala de las líneas de producción de sustratos, epitaxia y dispositivos de 8 pulgadas. . 8 pulgadas es el tamaño principal de la industria durante los próximos 3 a 5 años. Los principales fabricantes nacionales de sustratos seguirán ampliando las líneas de producción de 8 pulgadas para reducir el coste por oblea.
La contradicción central en la industria ha pasado de "si hay capacidad" a "mejora del rendimiento, control de defectos y obtención de designaciones de clientes de grado automotriz". Un gran número de empresas de dispositivos nacionales están acelerando AEC-Q100 la certificación de grado automotriz para fabricantes de automóviles, clientes de almacenamiento de energía y suministro de energía de IA. A medida que el rendimiento continúa mejorando, los costos unitarios de los dispositivos de SiC continúan disminuyendo, lo que impulsa la penetración del SiC desde los modelos de gama alta a los de gama media y desde las fuentes de alimentación de alta gama hasta las fuentes de alimentación industriales en general.
Lado de la oferta: después de la compensación de capacidad en 2025, el ritmo de expansión de nueva capacidad se desacelera y el ritmo de liberación de nueva capacidad es inferior al crecimiento de la demanda. Los productos de alta calidad para el sector automotriz mantienen un patrón estricto y la industria entra en un ciclo de aumento de volumen y precios; Los sustratos de gama baja y los dispositivos de uso general continúan enfrentando competencia, y los fabricantes pequeños y medianos que carecen de rendimiento y certificación de clientes continúan siendo eliminados, lo que aumenta aún más la concentración de la industria.
4.2 Mediano plazo (2029-2032): los 8 pulgadas se convierten en la corriente principal absoluta, comienza la industrialización de los 12 pulgadas, la sustitución doméstica entra en la zona de aguas profundas
El rendimiento de la línea de producción de 8 pulgadas continúa optimizándose, los costos caen significativamente y la penetración de SiC en vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía y fuentes de alimentación de IA aumenta sustancialmente. El segmento de sustratos nacionales mantiene la competitividad global; La sustitución nacional en los segmentos de epitaxia, dispositivos y módulos se acelera, y los fabricantes nacionales de IDM ingresan gradualmente a las cadenas de suministro de los principales fabricantes de automóviles y de fuentes de alimentación informática extranjeros.
Sustratos de SiC de 12 pulgadas entran en etapa de verificación de industrialización. Empresas como Tianyue Advanced ya han enviado muestras de productos de 12 pulgadas, dirigidos a sustratos de disipación de calor de embalaje avanzados y escenarios de dispositivos de potencia ultraalta.. 12 pulgadas diluyen aún más el costo por oblea, pero la inversión en equipos y la dificultad del proceso son mayores, y el ritmo de industrialización es más lento que el de 8 pulgadas.
El mercado global se expande rápidamente y la participación de la contribución incremental de las fuentes de energía informática de IA sigue aumentando. El crecimiento del mercado de SiC ya no depende exclusivamente de las fluctuaciones del ciclo de los vehículos de nueva energía, y múltiples escenarios posteriores cubren el riesgo del ciclo de una sola industria.
4.3 Largo plazo (después de 2032): la tecnología madura, los costos caen drásticamente y entran en una etapa de popularización a gran escala
Los costos de los dispositivos de SiC continúan disminuyendo, reemplazando gradualmente a los dispositivos de energía basados en silicio en más escenarios de voltaje medio y bajo, con escenarios de aplicación que se expanden a electrodomésticos y fuentes de alimentación de consumo. Los sustratos de SiC de . 12- pulgadas logran una producción en masa a gran escala. El panorama de la cadena industrial global tiende a la estabilidad, y China forma un ecosistema industrial de SiC completo y controlable de forma autónoma con competitividad global en toda la cadena, desde sustratos, equipos, epitaxia y chips hasta módulos. Al mismo tiempo, existe competencia potencial en las rutas tecnológicas. Los materiales de banda ancha de nueva generación, como el óxido de galio (Ga₂O₃), plantean amenazas potenciales de sustitución en escenarios específicos de alto voltaje, pero a mediano y largo plazo es poco probable que anulen la posición dominante del SiC en los semiconductores de potencia.
V. Lógica de inversión y selección de vías (perspectiva de la industria/inversión en acciones)
La vía de SiC es una vía de verificación de ciclo largo y que requiere mucha capital y tecnología. La inversión no puede limitarse a considerar la escala de capacidad; el núcleo radica en el rendimiento, los indicadores de defectos, la certificación del cliente, el flujo de caja y la curva de costos. Después de la reorganización de la industria de 2025, la lógica de inversión ha pasado de la "expansión de la capacidad" a las "barreras técnicas + barreras de los clientes".
5.1 Análisis de prioridad de inversión por segmento de la cadena industrial
1. Segmento de sustratos ascendentes: priorizar las empresas de sustratos conductores de alto rendimiento para automóviles
Los sustratos son el segmento con mayor valor y barreras más fuertes de toda la cadena industrial, y el único segmento en el que China ha alcanzado el liderazgo global. Indicadores principales de inversión: rendimiento del sustrato conductor, densidad de defectos de microtubos, capacidad de producción en masa de 8 pulgadas, certificación del cliente y capacidad interna del equipo de crecimiento de cristales. Las empresas de sustratos que solo pueden producir productos con bajo indicador de defectos y no pueden ingresar a las cadenas de suministro de grado automotriz tienen una rentabilidad débil a largo plazo y son objetivos de alto riesgo. Los equipos de crecimiento, corte, esmerilado y pulido de cristales upstream ofrecen oportunidades de sustitución nacional, y los fabricantes de equipos se benefician de la expansión continua de las líneas de producción de sustratos nacionales.
2. Segmento de epitaxia: enfoque en empresas de epitaxia con suministro de lotes estable y compatibilidad con MOSFET de grado automotriz
La calidad de la epitaxia determina directamente la confiabilidad del dispositivo, y la epitaxia de grado automotriz tiene altas barreras técnicas. Las plantas de epitaxia necesitan una colaboración profunda con las plantas de sustrato y las plantas de dispositivos. Las empresas con un espesor de capa epitaxial estable y capacidades de control de dopaje tienen valor a largo plazo.
3. Dispositivos intermedios y módulos de potencia: enfoque en designaciones de grado automotriz, verificación de confiabilidad y capacidades de empaque
El segmento de dispositivos tiene el mayor foso para los gigantes extranjeros, con ciclos de certificación largos (la certificación de los fabricantes de automóviles suele tardar entre 2 y 3 años). La inversión debe dar prioridad a las empresas que ya han obtenido designaciones de los principales fabricantes de automóviles, clientes de suministro de energía y almacenamiento de energía de IA y que poseen la certificación AEC-Q100. El empaquetado de módulos de potencia es un punto débil nacional, y los procesos de empaquetado de alta confiabilidad y las tecnologías de empaquetado avanzadas, como la sinterización de plata, ofrecen oportunidades de inversión. Las empresas sin fábrica, con diseño puro y sin líneas de producción patentadas enfrentan riesgos debido al suministro de sustrato y las fluctuaciones del proceso.
4. Final de la aplicación posterior: enfoque en empresas de suministro de energía y control electrónico con capacidades de diseño de sistemas de soluciones de SiC
El valor de los fabricantes de sistemas no radica solo en la compra de dispositivos, sino también en poseer capacidades de algoritmos de control, disipación de calor y aplicación del sistema para dispositivos de SiC, que pueden maximizar las ventajas de eficiencia del SiC. Dar prioridad a las empresas líderes en control electrónico de 800 V, fuentes de alimentación de servidores de IA y PCS de almacenamiento de energía.
5.2 Estrategias de inversión
Inversión de capital primario: priorizar el diseño en segmentos de alta barrera, como sustratos, equipos upstream, epitaxia de grado automotriz y módulos de energía; Evite proyectos de sustratos de baja gama que dependan únicamente de precios bajos y rendimientos bajos. Dar prioridad a las empresas que hayan completado la entrega de muestras y la verificación de la designación con clientes líderes y hayan sostenido una inversión en I+D; tenga cuidado con los proyectos que aún no han pasado la verificación del cliente y permanecen solo en la etapa de muestra.
Inversión industrial: Adecuada para la integración vertical de la cadena industrial. Los fabricantes de automóviles, las empresas de almacenamiento de energía y de suministro de energía informática pueden bloquear la capacidad de sustrato y epitaxia en fases iniciales para garantizar la seguridad de la cadena de suministro y protegerse contra los riesgos de interrupción de la cadena de suministro en el extranjero.
Enfoque de valoración: la industria se encuentra en un ciclo de expansión y las empresas generalmente tienen altos gastos de capital iniciales y una rentabilidad rezagada. La valoración del PE no se puede utilizar de manera simplista; concéntrese en rastrear el progreso del aumento del rendimiento, el costo unitario de la oblea, los pedidos de designación de clientes, la utilización de la capacidad y el flujo de caja.
VI. Advertencias de riesgos principales de la industria
6.1 Riesgo de que la demanda downstream no cumpla con las expectativas
Si las ventas de vehículos de nueva energía y la penetración de modelos de 800 V caen por debajo de las expectativas, la demanda de SiC se verá directamente afectada; Si el gasto de capital del servidor de IA se contrae temporalmente, el crecimiento de la demanda de suministro de energía de IA se desacelerará. La demanda de la industria de SiC está profundamente ligada a las dos principales industrias cíclicas de nuevas energías y potencia informática que requieren un gran gasto de capital, y existe un riesgo de fluctuación cíclica.
6.2 Tecnología y riesgo de rendimiento
Los procesos de epitaxia y crecimiento de cristales de SiC son difíciles. Los avances en la mejora del rendimiento que no cumplan con las expectativas seguirán elevando los costos; la dificultad de aceleración de las líneas de producción de gran tamaño de 8 y 12 pulgadas puede ser mayor de lo esperado; Los avances tecnológicos en otros materiales de banda prohibida amplia, como el óxido de galio, pueden crear un riesgo de sustitución.
6.3 Competencia de precios y riesgo de deterioro de las ganancias
Aunque los productos de calidad automotriz actualmente sufren una escasez estructural, si se pone en producción una gran cantidad de sustratos de 8 pulgadas de manera concentrada en los próximos 2 o 3 años, la industria puede volver a tener un exceso de oferta, lo que desencadenará una nueva ronda de guerras de precios, comprimiendo los márgenes brutos corporativos y provocando que muchas empresas sigan generando pérdidas. El gasto de capital de la industria es enorme y la presión de depreciación es alta; Incluso con un crecimiento de los ingresos, las empresas pueden seguir generando pérdidas durante mucho tiempo.
6.4 Riesgo de patentes y comercio internacional
Los líderes extranjeros poseen una gran cantidad de patentes principales para sustratos y dispositivos de SiC, y las empresas nacionales enfrentan el riesgo de litigios por patentes; Los controles a las exportaciones de semiconductores y las barreras al comercio exterior afectan la expansión de las empresas nacionales hacia clientes extranjeros y las importaciones de equipos y materiales.
6.5 Riesgo de certificación
Los ciclos de certificación para dispositivos de grado automotriz e industrial son largos. Después de invertir importantes fondos en I+D, el fracaso en la certificación del cliente o el retraso en las designaciones afectarán directamente la comercialización del proyecto.
VII. Conclusión
Como elemento central de los semiconductores compuestos de tercera generación, el carburo de silicio (SiC) ha experimentado una limpieza brutal de su capacidad en 2025 y marca el comienzo de un punto de inflexión de prosperidad estructural. La lógica de crecimiento ha pasado de la conducción de un único vehículo de nueva energía a la resonancia multipista de vehículos de nueva energía + fuentes de alimentación informáticas de IA + almacenamiento de energía fotovoltaica. En el corto plazo, la industria muestra una diferenciación estructural entre la oferta y la demanda: hay escasez de productos automotrices de alta calidad, mientras que los productos de gama baja continúan sufriendo una intensa competencia; a mediano y largo plazo, la reducción de costos a gran escala de 8 pulgadas y la sustitución nacional son las líneas principales, y las fuentes de energía informática de IA abren el techo de crecimiento a largo plazo de la industria.
La cadena industrial de China ha logrado avances globales en el segmento de sustratos, mientras que los segmentos de epitaxia, dispositivos y módulos continúan poniéndose al día, pero la certificación, el rendimiento, el costo y las patentes de grado automotriz siguen siendo deficiencias fundamentales. A nivel de inversión, el espacio de crecimiento a largo plazo de la vía es seguro, pero la industria es una vía de alto gasto de capital, de largo ciclo de verificación y no es adecuada para simplemente perseguir conceptos de capacidad. Criterios básicos para evaluar los objetivos de inversión: alto rendimiento, bajos indicadores de defectos, designaciones de clientes líderes, implementación de certificación de grado automotriz y una curva de costos controlable. Priorice el diseño en segmentos con barreras altas, como sustratos ascendentes, equipos de crecimiento de cristales, epitaxia de grado automotriz y módulos de energía, y evite proyectos sin clientes principales, con bajo rendimiento y que dependan únicamente de la escala de capacidad. Al mismo tiempo, es necesario realizar un seguimiento continuo de variables clave como las ventas de vehículos de nueva energía, el gasto de capital en IA, el aumento del rendimiento de los vehículos de 8 pulgadas y las políticas comerciales y de patentes en el extranjero para evitar fluctuaciones cíclicas y riesgos de que la industrialización no cumpla con las expectativas.