Clase pequeña sobre sustrato de nitruro de aluminio

El sustrato de nitruro de aluminio (sustrato AIN) es un material semiconductor con propiedades físicas y químicas únicas. Es ampliamente utilizado en dispositivos electrónicos, dispositivos optoelectrónicos, gestión térmica y otros campos. El sustrato de nitruro de aluminio tiene una alta conductividad térmica. La conductividad térmica del sustrato de AIN es extremadamente alta, alrededor de 320 W/m·K, cercana a la del BeO y el SiC, y más de 5 veces la del Al2O3. Esto convierte a AIN en un material ideal en el campo de la gestión térmica, especialmente en dispositivos electrónicos de alta potencia, que puede reducir eficazmente la temperatura del dispositivo y mejorar la eficiencia y confiabilidad del trabajo. El sustrato de nitruro de aluminio tiene aislamiento eléctrico. Dado que AIN tiene una banda prohibida grande de aproximadamente 6,2 eV, tiene un alto aislamiento eléctrico. Por lo tanto, el sustrato de nitruro de aluminio puede prevenir eficazmente el flujo de corriente en entornos de alta temperatura y alto voltaje, protegiendo la estabilidad y seguridad de los dispositivos electrónicos. El sustrato de nitruro de aluminio tiene propiedades mecánicas. AIN tiene alta dureza y resistencia a la tracción y tiene buenas propiedades mecánicas. Por lo tanto, no es fácil que el sustrato de nitruro de aluminio produzca grietas y defectos durante el proceso de preparación, lo que mejora la confiabilidad y la vida útil del dispositivo. El sustrato de nitruro de aluminio es un material resistente al calor a altas temperaturas. La temperatura de descomposición por sublimación del cristal AIN bajo presión normal es de 2450 grados, que es un material resistente al calor a altas temperaturas. El sustrato de nitruro de aluminio es resistente a la corrosión química. AIN tiene un campo de aplicación especial de sustrato de nitruro de aluminio que no se corroe con el líquido de aluminio y otros metales fundidos y el arseniuro de galio. Debido a su alta conductividad térmica, bajo coeficiente de expansión, alta resistencia, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión química, alta resistividad y baja pérdida dieléctrica, el sustrato AIN se ha convertido en un sustrato y material de embalaje ideal para disipación de calor de circuitos integrados a gran escala.
AIN tiene una alta dureza, superior a la alúmina tradicional, y es un nuevo tipo de material cerámico resistente al desgaste. La película AIN tiene buenas propiedades ópticas y se puede utilizar para fabricar componentes piezoeléctricos de alta frecuencia, sustratos de circuitos integrados de gran escala, etc. Los sustratos AIN se utilizan para fabricar emisores de luz ultravioleta (UV), especialmente en el campo de longitudes de onda inferiores a 300 nm, incluidos diodos emisores de luz UVC (LED UVC) y diodos láser. Los sustratos AIN muestran un gran potencial de mercado debido a su alto rendimiento en electrónica de potencia y equipos de radiofrecuencia (RF), especialmente en aplicaciones en condiciones extremas.
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