Columna de silicio de carburo de silicio

Columna de silicio de carburo de silicio

El carburo de silicio sinterizado por reacción (RB-SiC) es un material cerámico de alto-rendimiento preparado mediante un proceso de sinterización por reacción de infiltración por fusión de silicio (Si), caracterizado por su alta dureza, alta conductividad térmica, baja expansión térmica, excelente resistencia a la corrosión y estabilidad a altas temperaturas...
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Descripción
Descripción de productos

 

El carburo de silicio (a menudo abreviado como SiC y conocido en otros idiomas como Siliziumcarbid, Carburo de Silicio o Carbure de Silicium) es un material avanzado y versátil. En el contexto de la fabricación de semiconductores, los lingotes de carburo de silicio se refieren al carburo de silicio monocristalino cilíndrico producido mediante técnicas de crecimiento de cristales como el método de transporte físico de vapor (PVT). Para aplicaciones electrónicas, este proceso requiere materiales precursores de pureza ultra-para cultivar lingotes de politipos específicos (como 4H-SiC y 6H-SiC), con niveles de pureza que a menudo alcanzan 4N (99,99%) y 5N (99,999%) para dispositivos de alto-rendimiento. Por el contrario, en el caso de la cerámica industrial, el carburo de silicio sinterizado o el carburo de silicio unido por reacción se producen a partir de polvos de menor-pureza para componentes como sellos mecánicos. Los lingotes monocristalinos sirven como material precursor para la fabricación de sustratos de carburo de silicio (obleas). Después de ser cortados, molidos y pulidos, estos lingotes se convierten en los sustratos base para producir chips semiconductores. El carburo de silicio es un material cerámico y semiconductor de banda prohibida amplia-de tercera generación- cuyo rendimiento supera con creces el del silicio tradicional. Es particularmente adecuado para entornos operativos extremos que involucran alta temperatura, alto voltaje, alta frecuencia y alta potencia. Este material existe en varias formas, como carburo de silicio alfa, carburo de silicio cúbico y los politipos comunes 4H-SiC y 6H-SiC utilizados en electrónica.

 

detalles del producto

 

Nombre del producto Columna de silicio de carburo de silicio
Color Personalizado según los requisitos del cliente.
tamaño Personalizado según los requisitos del cliente.
Embalaje Caja de cartón/palé/caja de madera (según los requisitos del cliente)
El tiempo de entrega Producto estándar-En 3 días
Diseño de artículos Según dibujo o muestras del cliente.
Características Buena calidad, precio bajo, múltiples fábricas, entregamos según la más cercana a su ubicación.
Solicitud Cerámica Industrial
Certificado ISO, CE

 

Silicon Carbide Silicon Column

 

Parámetros clave de rendimiento y propiedades del material

 

Los principales parámetros de rendimiento y propiedades del carburo de silicio para aplicaciones electrónicas e industriales son excepcionales:

  • Ancho de banda prohibida: El carburo de silicio tiene una amplia banda prohibida de aproximadamente 3,2 electronvoltios (eV) (para el politipo 4H-SiC convencional), que es aproximadamente tres veces mayor que la del silicio (1,1 eV). Una banda prohibida amplia significa que los dispositivos de SiC pueden funcionar de manera estable a temperaturas más altas, con una concentración de portadores intrínsecos extremadamente baja, lo que reduce significativamente el riesgo de fuga de corriente. Lograr este rendimiento óptimo requiere el uso de carburo de silicio de alta-pureza (por ejemplo, 4N, 5N) para minimizar las impurezas eléctricamente activas.
  • Conductividad térmica: El carburo de silicio posee una excelente conductividad térmica, aproximadamente 3,7-4,9 W/(cm·K), mucho mayor que el silicio. Esta propiedad es crucial para los elementos calefactores de carburo de silicio, los tubos de carburo de silicio utilizados como tubos de protección de termopares y la gestión del calor en dispositivos de energía.
  • Intensidad del campo eléctrico de ruptura y propiedades eléctricas: El SiC tiene una intensidad de campo eléctrico de ruptura muy alta, aproximadamente 2,8 MV/cm. Esto permite dispositivos de potencia eficientes y compactos. Sus capacidades también se extienden a usos en placas y láminas cerámicas de carburo de silicio para entornos exigentes. La resistencia a la rotura obtenida depende en gran medida de la pureza del material y la calidad del cristal.
  • Estabilidad mecánica y química: el carburo de silicio exhibe una dureza extrema (Mohs ~9), alta densidad y una fuerte resistencia al desgaste. Estas propiedades del material de carburo de silicio lo hacen ideal para sellos mecánicos, cojinetes, boquillas, casquillos y revestimientos de carburo de silicio. Su inercia química permite su uso en crisoles de carburo de silicio y para aplicaciones de recubrimiento de carburo de silicio mediante CVD u otros métodos.

 

aplicación típica

 

Sobre la base de estas extraordinarias propiedades, los materiales procesados ​​a partir de carburo de silicio se utilizan para fabricar -dispositivos semiconductores de potencia de alta gama y una amplia gama de componentes cerámicos industriales.

  • Vehículos de nueva energía y electrónica de potencia: este es el mercado de mayor crecimiento. Los sustratos semiconductores de SiC (derivados de lingotes 4N/5N de alta-pureza) se utilizan en inversores y convertidores. Proveedores como Infineon, Wolfspeed y CREE son actores clave. Las piezas industriales de cerámica de SiC también se encuentran en sistemas relacionados.
  • Tecnología industrial y de procesos: se utiliza para cerámicas-resistentes al desgaste, sellos y cojinetes de carburo de silicio, boquillas, ladrillos y refractarios de carburo de silicio, y componentes de bombas y válvulas. Los proveedores y fabricantes de carburo de silicio proporcionan estas piezas sinterizadas o unidas-por reacción, que normalmente no requieren pureza de grado electrónico-.
  • Nueva energía y almacenamiento de energía: en los inversores fotovoltaicos y los sistemas de almacenamiento, los dispositivos de SiC (que dependen de sustratos de alta-pureza) mejoran la eficiencia. Los elementos calefactores y los tubos de protección de carburo de silicio se utilizan en hornos industriales de alta-temperatura.
  • Tecnología aeroespacial, de defensa y-de vanguardia: aprovechando su alta-tolerancia a la temperatura y su estabilidad estructural, se utiliza para compuestos de carburo de silicio, componentes ópticos y armaduras.

 

Parámetros de los productos

 

products parameters

Control de calidad

 

En estricto cumplimiento del Sistema de gestión de calidad ISO 9001, implementamos un control de calidad completo-de procesos para garantizar la entrega constante de productos de alta-calidad:

• Inspección 100% de las materias primas, garantizando la calidad desde el origen.
• Utilización de líneas de producción avanzadas de prensado en caliente-para procesos estables y confiables.
• Un completo-sistema de pruebas interno que cubre análisis de densidad, dureza y microestructura.
• Disponibilidad de certificaciones autorizadas de terceros-(incluidas SGS, CE, ROHS, etc., proporcionadas previa solicitud)

Seguimos comprometidos con la mejora continua de nuestro sistema de gestión, brindando a los clientes una garantía de producto consistente y confiable.

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