El sustrato de cerámica en forma de arco de nitruro de aluminio, como material clave en la industria electrónica moderna, se centra en el nitruro de aluminio y ocupa una posición indispensable en muchos escenarios de aplicación de alta tecnología debido a sus propiedades físicas y químicas únicas. El sustrato en forma de arco de nitruro de aluminio proporciona una plataforma de soporte estable y eficiente para componentes electrónicos, abordando efectivamente los problemas clave de los dispositivos electrónicos. El sustrato de cerámica en forma de ALN es una base importante para avanzar en la tecnología electrónica hacia un mayor rendimiento, un tamaño más pequeño y una mayor confiabilidad.
Nombre del producto | Sustrato de cerámica en forma de arco de aluminio |
Color | Personalizado de acuerdo con los requisitos del cliente |
tamaño | Personalizado de acuerdo con los requisitos del cliente |
Embalaje | Caja de cartón \/paleta \/madera (según el requisito del cliente) |
El tiempo de entrega | Producto estándar en 3 días |
Diseño de artículos | De acuerdo con el dibujo o las muestras del cliente |
Características | Buena calidad, bajo precio, múltiples fábricas, entregada en función de la más cercana a su ubicación |
Solicitud | Cerámica industrial |
Certificado | ISO, CE |
Propiedades del material:
- En polvo de nitruro de aluminio de alta pureza: con el polvo de nitruro de aluminio con una pureza de más del 99% como material base, un proceso de preparación refinado asegura la consistencia y la estabilidad del material del sustrato, estableciendo una base sólida para el rendimiento excepcional del producto de la fuente.
- Estructura cristalina optimizada: durante la etapa de sinterización, una estructura cristalina homogénea y gruesa toma forma, caracterizada por minuciosos granos de cristal que se dispersan uniformemente. Dicha estructura cristalina mejorada dotan el sustrato con sobresaliente robustez mecánica y constancia térmica, lo que le permite soportar las cepas térmicas y mecánicas que surgen de la operación de componentes electrónicos.
Características de rendimiento
- Conductividad térmica ultra alta: sustrato en forma de arco de Ain tiene impresionantes conductividades térmicas, alcanzando valores de 170-230 w\/m · k, que exceden con creces las de los sustratos de cerámica de alúmina tradicionales. En dispositivos electrónicos con altos requisitos de disipación de calor, la alta conductividad térmica del sustrato cerámico en forma de arco de nitruro de aluminio puede mejorar significativamente la eficiencia de la disipación de calor, asegurando que el equipo mantenga un rendimiento estable incluso bajo una operación prolongada de alta carga.
- Buen aislamiento eléctrico: el sustrato de cerámica en forma de arco tiene un excelente rendimiento de aislamiento eléctrico, con una resistividad de hasta 10ight³ -10 ¹⁴ ω ・ cm, aislando efectivamente la corriente entre los componentes electrónicos y evitando las ocurrencias de cortocircuitos. Incluso en entornos de trabajo de alto voltaje y alta frecuencia, los sustratos de nitruro de aluminio pueden mantener un rendimiento de aislamiento estable, proporcionando una protección confiable para la operación segura de dispositivos electrónicos.
- Constante dieléctrica baja y factor de baja pérdida: en la transmisión de señal de alta frecuencia, el sustrato en forma de arco de AIN exhibe ventajas de constante dieléctrica baja (típicamente entre 8-10) y factor de baja pérdida. En dispositivos de comunicación y detección de alta frecuencia, como estaciones base de comunicación 5G y sistemas de radar, los sustratos AIN pueden garantizar la transmisión precisa y la recepción de señales de alta frecuencia.
- Coeficiente de expansión térmica coincidente: el coeficiente de expansión térmica se combina bien con materiales semiconductores comúnmente utilizados como silicio y arsenuro de galio, aproximadamente 4.5 × 10⁻⁶\/ grado. Esta característica permite al sustrato de cerámica en forma de arco de nitruro de aluminio para reducir efectivamente el estrés térmico causado por los cambios de temperatura cuando se combina con el empaque de chips semiconductores.
- Alta resistencia mecánica: el sustrato cerámico en forma de arco de ALN tiene una alta resistencia mecánica, con una resistencia a la flexión de hasta 300-400 MPA, capaz de resistir un cierto grado de impacto mecánico y vibración. Durante el ensamblaje, el transporte y el uso de dispositivos electrónicos, la alta resistencia mecánica de los sustratos de cerámica ALN puede proteger efectivamente los componentes electrónicos de las fuerzas mecánicas externas.
Campos de aplicación
- Campo de electrónica de potencia: ampliamente utilizado en módulos de potencia, inversores, rectificadores y otros dispositivos electrónicos de potencia. Entre estos dispositivos, los sustratos de cerámica de nitruro de aluminio sirven como base de montaje para dispositivos de alimentación. Al mismo tiempo, el sustrato de cerámica en forma de arco de nitruro de aluminio tiene aislamiento eléctrico y alta resistencia mecánica.
- Campo de electrónica de comunicación: el sustrato en forma de arco de nitruro de aluminio juega un papel importante en los dispositivos de comunicación, como las estaciones base de comunicación 5G, los módulos de comunicación óptica y los circuitos de RF de microondas.
- Campo de electrónica automotriz: a medida que el grado de integración electrónica en automóviles continúa aumentando, el sustrato de cerámica en forma de arco se ha utilizado ampliamente en sistemas de control electrónico automotrices, estaciones de carga de vehículos eléctricos, sistemas de iluminación automotriz y otras aplicaciones.
- Campo de electrónica de consumo: el sustrato de cerámica en forma de arco de nitruro de aluminio se utiliza principalmente en chips de procesadores y transistores de potencia.
Parámetro de rendimiento de la cerámica
Número | Actuación | Unidad | Nitruro de aluminio | |
Jc-an -210 | Jc-an -170 | |||
1 | Densidad | g\/cm3 | 3.32~3.34 | 3.31~3.33 |
2 | Resistencia a la flexión | MPA | 340~360 | 400~420 |
3 | Dureza de la fractura | MPA · M1\/2 | 3.35 | 3.35 |
4 | Constante dieléctrica | εr (20 grados, 1MHz) | 8.8~9.0 | 8.7~8.9 |
5 | Dureza | GPA | 12-16 | |
Dureza | HRC | 75-80 | ||
6 | Resistividad de volumen | Ω · cm (20 grados) | 10 10 | 10 10 |
7 | Módulo elástico | GPA | 310 | 320 |
8 | Coeficiente de expansión térmica | ×10-6/k | 4.8~5.0 | 4.5~4.7 |
9 | Resistencia a la compresión | MPA | 2100 | 2000 |
10 | Abrasiones | g\/cm2 | 0.01 | 0.01 |
11 | Conductividad térmica | W\/m × k (20 grados) | 200~220 | 160~180 |
12 | Ratio de Poisson | / | 0.24 | 0.24 |
13 | Fuerza de aislamiento | KV\/mm | 26~28 | 30~32 |
14 | Temperatura | grado | 2500 | 2500 |
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